中国方案终将使美国所拥有的半导体优势荡然无存！( 二 )
碳管CMOS器件与传统半导体器件的比较(A ， 基于碳管阵列的场效应晶体管示意图 ， 有界碳管CMOS器件与传统材料晶体管的比较) 。然而 ， 在这个时候 ， 我们面临着一个更大的问题 。 批量制备碳纳米管集成电路的前提是获得超高半导体纯度、高密度、大面积均匀的碳纳米管阵列薄膜 。 这样的生产要求很难满足 ， 而且由于材料问题 ， 碳管晶体管和集成电路的实际性能远低于预期 。 它已成为碳管电子学领域最大的技术挑战 。彭练矛教授此次的突破在于 ， 攻克了碳管电子领域和碳基半导体产业化的共性难题 ， 生产出了第一个超越类似尺寸的硅基CMOS的器件和电路 ， 这也意味着 ， 如果碳基信息器件技术能够充分利用碳管在物理、电子、化学、机械等领域的特殊优势 ， 就有希望生产出高性能、低功耗的芯片 。
彭连茂说 。 与国外硅基技术制造的芯片相比 ， 中国碳基技术制造的芯片不仅处理大数据速度更快 ， 而且至少节省30%的功耗 。 这也意味着 ， 中国在结束硅时代的游戏中不再是旁观者和门票 ， 美国在第一梯队 ， 当然我们不得不承认美国领先于中国 。 日本、韩国和欧洲位居第二梯队 ， 其他国家只是作为旁观者 ， 最重要的是没有参赛资格 。
目前 ， 除了碳纳米管 ， 中国在石墨烯等新材料方面取得了不错的成绩 ， 依托中国巨大的市场需求 ， 很容易催生出新的产业 。 碳基技术在不久的将来可以应用于国防科技、卫星导航、气象监测、人工智能、医疗器械等领域 。 中国也在大力倡导2025计划 ， 重点关注颠覆性新材料对传统材料的影响 。
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