北京稳固得电子|倒置降压器如何提供非隔离反激器的拓扑选择( 二 )
对于每个波形 ， 传导损耗计算为均方根电流平方乘以绕组电阻 。 因为降压只有一个绕组 ， 所以磁场中的总传导损耗就是一个绕组的损耗 。 然而 ， 反激的总传导损耗是一次绕组和二次绕组损耗之和 。 此外 ， 反激中磁场的物理尺寸将比在类似功率水平下的倒置降压设计更大 。 任一组件的储能等于?L×IPK2 。
对于图4所示的波形 ， 我计算出倒置降压只需要存储反激所需存储的四分之一的功率 ， 因此 ， 与同等功率的反激设计相比 ， 倒置降压设计的占地面积要小得多 。
图4降压和反激拓扑中电流波形的比较
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【北京稳固得电子|倒置降压器如何提供非隔离反激器的拓扑选择】当不需要隔离时 ， 反激拓扑并不总是低功耗离线应用的最佳解决方案 。 倒置降压可以提供更高的效率和更低的BOM成本 ， 因为您可以使用一个可能更小的变压器/电感器 。 对于电力电子器件设计人员来说 ， 重要的是要考虑所有可能的拓扑解决方案 ， 以确定最适合给定规格的拓扑 。
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