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日本半导体发展史( 二 )

日本半导体发展史
晶圆处理工序的生产设备 ， 在1965年以后急速国产化 。日本所采取的方法是成立合资公司 ， 讨论在日本生产的可能性 。 比如TEL公司 ， 1963年以商社为起点 ， 1964年开始进口美国Thermco公司的扩散炉 ， 1968年与Thermco公司成立合资公司 ， 开始在日本生产扩散炉；1967年 ， 日本电气与Varian Associates公司成立合资企业 ， 开始在日本开发生产自动铝线真空镀膜设备以及溅射装置等；1974年日本真空技术也与外国公司合作开发离子注入机 。日本半导体发展史
日本真空技术公司生产的设备在美国企业与日本企业大范围合并潮流当中 ， 使得日本半导体设备开发急速发展 ， 而其中也少不了日本政府的大力支持 。 日本在1961年成立了“新技术开发事业团”的机构 ， 其目的是以公有资金投资企业开发项目 ， 是具有浓厚政府色彩的特殊法人 。 日立制作所在1968年研究开发离子注入设备时 ， 就是受到了该机构的研发资金支持；日本真空技术 ， 也是在日本通产省的补助金的支持下 ， 于1962年成功研发出超高真空镀膜装置 ， 1976年完成等离子CVD设备的开发 。超LSI技术研究组合共同研究所日本半导体发展史
超LSI技术研究组合共同研究所一景1970年代 ， 日本半导体设备国产化进程加快 ， 许多企业相互之间也存在着竞争 。 同时随着日本半导体设备在国际市场上的地位愈发的凸显 ， 就需要有一个能够整合资源应对国际市场的机构 ， 应运而生的就是超LSI技术研究组合共同研究所 。 1976年 ， 在川崎的NEC中央研究所内成立了一个官民结合的结构 ， 名字为超LSI技术研究组合共同研究所 。 很多人几乎没有听说过该机构 ， 因为这个机构只存在了4年而已 。 但是这种方式 ， 却被日本很好的保留下来 。在日本半导体发展历史当中 ， 个人觉得这种合作开发的理念 ， 是日本能够发展强大的精髓所在 。 所以我想着重的对超LSI技术研究组合共同研究所进行介绍 ， 希望能够借他国发展历史 ， 对国内现状产生一些思考 。在上个世纪 ， 日本政府也对本国半导体产业有自己的考虑 ， 大致总结如下：1966年~1971年开始“超高性能电子计算机开发”项目 ， 由工业技术院主导；1972年~1975年总共支出500亿日元 ， 其中IC相关是200亿日元；1975年~1979年成立超LSI技术研究组合共同研究所 ， 花费的700亿日元当中 ， 有290亿日元是来自日本通产省的补助金；其实日本当时的主要目的是对标IBM的下一代计算机开发计划 ， 想要在未来占据市场以及技术的主导地位 。日本半导体发展史
超LSI技术研究组合共同研究所部分人员合影超LSI技术研究组合共同研究所的参加企业有东芝、日本电气、日立制作所、富士通以及三菱电机5家公司 。 这5家公司设置共同研究所 ， 总共派出大约100名技术人员 ， 进行共同课题研究 。该机构的研究题目主要有下面六项：微细加工技术；结晶技术；设计技术；工程技术；试验评价技术；硬件技术；但是每家公司都有着不想外泄的信息资料 ， 因此该机构主要主导的是在技术应用当中需要碰到基础问题 ， 选择共同的领域进行共同开发 。 比如如何减少超LSI硅结晶的缺陷、如何生产大口径且不会出现翘曲的晶圆等 。 将相互存在着竞争关系的公司聚集在一起 ， 共同克服技术难题一事 ， 可以说是史无前例的举措 。 其实在半导体设备当中 ， 当时能够生产相关零部件或者总成的公司有限 ， 几乎采用的都是同样的供应商体系 ， 只是在设备投入产线以后 ， 如何进行调整与优化 ， 这才是日本每个公司核心竞争力 。这个机构最初成立之时 ， 日本通产省做了大量的工作 ， 将半导体公司与日本的半导体设备公司进行整合 ， 规划出研究方向 。 这样的举措 ， 不仅仅强化了日本半导体产业的优势 ， 也大幅度增加了日本半导体设备的竞争力 。 虽然我不想过大的评价该机构对日本半导体进程的贡献 ， 但是可以说的是 ， 这个机构的出现与1980年日本半导体产业站在世界之巅有着紧密的关系 。走向世界的日本半导体设备1988年美国做了一个调查 ， 当时美国市场上的半导体进口比例如下：溅射装置：68%晶体管处理装置：69%SEM：80%以上切割装置：75%贴片装置：80%自动焊接机：81%树脂封止装置：65%原本是美国本土生产的设备占据主导地位的市场 ， 被日本“撕开”了口子 ， 上述的大部分设备都是来自日本一事已经毋庸置疑 。1980年代 ， 随着日本半导体设备走向美国 ， 许多日本公司也开始建立美国子公司 。 TEL与美国公司合并 ， 在美国本土设置TEL据点；佳能与Lam Research公司合作 ， 成立QTI公司；索尼购买了MRC公司等 。 至此 ， 日本半导体设备以及半导体产业 ， 走向了全盛时期！参考资料：《日本半导体开发》 ， 中川靖造 ， 1981年；《电子立国 日本的自述传》（上下） ， 相田洋 ， 1991年；《半导体立国 构筑日本独创的装置的记录》 ， 垂井康夫监修 ， 1991年；《日本半导体制造装置产业的分析》 ， 肥塚浩 ， 1992年；日本半导体发展史：跨世纪的发明 ， 闪存的荣光与遗憾索尼井深大来拉开了半导体序幕 ， 夏普佐佐木正对集成电路的孜孜追求 ， 已经让日本站在了世界半导体行业的前沿位置 。 但是 ， 对于半导体未来的发展 ， 似乎有一些日本人始终无法完全认识到位 ， 这样就造就了东芝的遗憾 。 舛岡富士雄这个名字 ， 很多人不太了解 ， 但是我们使用的电脑以及手机等产品当中 ， 都有他的功劳 。 可是这位被日本政府授予崇高荣誉的日本人 ， 却有着难以提起的遗憾 。日本半导体行业的知名人士奥山幸祐这样评价舛冈富士雄的发明：闪存的出现改变了我们的生活 ， 舛冈富士雄这个发明对社会的贡献 ， 从同样是工程师的我来看 ， 有比肩诺贝尔奖的价值 。


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