闪存国家存储器基地项目二期开工，规划月产能20万片( 二 ) （文

【闪存国家存储器基地项目二期开工，规划月产能20万片】报道指出，三星计划在明年下半年大规模生产该芯片，新增的产能将有助于满足对5G手机和其他设备的需求。分析师预计，三星此次投资额将在7万亿韩元至8万亿韩元（约合65亿美元）之间。
7个月前，三星宣布启动西安闪存芯片（NAND）项目二期第二阶段80亿美元（约合人民币563亿元）投资。项目建成后将新增产能每月13万片，使西安成为全球规模最大的闪存芯片制造基地。
与此同时，据DIGITIMES今年4月报道， SK海力士将在韩国M15工厂增加NAND Flash产能。
报道指出，之前因为市场供过于求， SK海力士把2019年NAND Flash晶圆较2018年减少10%以上，这也导致其产能爬坡速度有所减缓，不过在三星投资加速刺激下， SK海力士或也在考虑提高增产速度。
观察者网专栏作者铁流此前分析，由于中国企业在NAND Flash和DRAM两种存储芯片方面的市场占有率微乎其微，且NAND Flash和DRAM被少数国际大厂所垄断，特别是韩国企业拥有非常高的市场份额，这直接导致存储芯片价格很容易受到垄断企业决策影响……长江存储在64层NAND上取得突破，未来将有效缓解了在NAND上单一依赖进口供应的局面。
（编辑：周远方）
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闪存国家存储器基地项目二期开工，规划月产能20万片( 二 )

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