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爱集微|盛美半导体设备推出应用于先进存储器的18腔单晶圆清洗设备



【爱集微|盛美半导体设备推出应用于先进存储器的18腔单晶圆清洗设备】爱集微|盛美半导体设备推出应用于先进存储器的18腔单晶圆清洗设备
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作为先进半导体器件的晶圆清洗技术领域中领先的设备供应商 ， 盛美半导体设备（NASDAQ:ACMR）近日发布了Ultra C VI单晶圆清洗设备 ， 这是加入Ultra C清洗系列的最新产品 。 Ultra C VI旨在对动态随机存取存储器（DRAM）和3D NAND闪存晶圆进行高产能清洗 ， 以实现缩短存储产品的生产周期 。 这款新产品以盛美成熟的多腔体技术为基础 ， 进一步扩展了清洗设备产品线 。 Ultra C VI系统配备了18个单片清洗腔体 ， 对比盛美现有的12腔设备Ultra C V系统 ， 其腔体数及产能增加了50% ， 而其设备宽度不变只是设备长度有少量增加 。
“存储产品的复杂度不断提高 ， 但仍然对产量有严格的要求 。 ”盛美的董事长王晖博士表示：“当清洗工艺的时间逐渐加长或开始采用更复杂的干燥技术时 ， 增加清洗腔体能有效解决产能问题 ， 让先进存储装置制造商保持甚至缩短产品的生产周期 。 我们的18腔清洗设备将是解决这类问题的利器 。 Ultra C VI平衡了腔体数量配置 ， 在实现高产能（wafer-per-hour）的同时 ， 兼顾了与工厂自动化能力的匹配 ， 同时也能避免因腔体数量过多而面临的设备宕机压力 。 ”
Ultra C VI可进行低至1y节点及以下节点的先进DRAM产品和128层及以上层数的先进3D NAND产品的单晶圆清洗 。 该设备可根据应用及涉及的化学方法运用于各种前道和后道工艺 ， 如聚合物去除、中段钨或后段铜工艺的清洗、沉积前清洗、蚀刻后和化学机械抛光（CMP）后清洗、深沟道清洗和RCA标准清洗 。
清洗过程中可使用多种化学组合 ， 包括标准清洗（SC1 ， SC2）、氢氟酸（HF）、臭氧去离子水（DI-O3）、稀硫酸双氧水混合液（DSP ， DSP +）、有机溶剂或其他工艺化学品等 。 最多可对其中两种化学品进行回收 ， 节约成本 。 该设备还可以采用可选的物理辅助清洗方法 ， 例如二流体氮气雾化水清洗或者盛美专有的空间交变相位移（SAPS）和时序能激气穴震荡（TEBO）兆声清洗技术 。 可选配异丙醇（IPA）干燥功能 ， 应用于具有高深宽比的图形片 。 此外 ， 由于该设备与盛美现有设备的宽度一致 ， 因此有助于提高晶圆厂的空间利用率 ， 并进一步降低成本 。
盛美计划在2020年第三季度初期交付Ultra C VI给一家领先的存储制造厂进行评估和验证 。
欢迎莅临盛美位于SEMICON China 展位号E5223的展台 ， 咨询盛美的整体清洗解决方案 ， 包括最新的Ultra C VI系统 。 该展会将于2020年6月27日至29日在上海新国际博览中心举办 。 也可联系下列地区的相关负责人 ， 咨询更多信息 。


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