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新金属芯片能提高存储速度百倍

提示您本文原始标题：新金属芯片能提高存储速度百倍更快、更密集的数据存储革命即将来临了吗？据英国《自然·物理学》杂志近日发表的一项研究 ， 一个美国联合研究团队利用层状二碲化钨制成了二维（2D）金属芯片 ， 其厚度仅三个原子！在更节能的同时 ， 储存速度提高了100倍之多 ， 为开发下一代数据存储材料奠定了基础 。
当今世界所产生的数据比以往任何时候都多 ， 然而我们当前的存储系统已接近大小和密度的极限 ， 因此迫切需要相关技术革命 。 科学家正在研究数据的其他保存形式 ， 包括存储在激光蚀刻的载玻片、冰冷分子、单个氢原子、全息胶片甚至DNA上 。
在这次的新研究中 ， 美国斯坦福大学、加州大学伯克利分校和德克萨斯A＆M大学的研究人员尝试了另一种方法 ， 他们研发的新系统由二碲化钨金属组成 ， 排列成一堆超薄层 ， 每层仅有3个原子厚 。 其可代替硅芯片存储数据 ， 且比硅芯片更密集、更小、更快 ， 也更节能 。
研究人员对二碲化钨薄层结构施加微小电流 ， 使其奇数层相对于偶数层发生稳定的偏移 ， 并利用奇偶层的排列来存储二进制数据 。 数据写入后 ， 他们再通过一种称为贝利曲率的量子特性 ， 在不干扰排列的情况下读取数据 。
团队表示 ， 与现有的基于硅的数据存储系统相比 ， 新系统具有巨大优势——它可以将更多的数据填充到极小的物理空间中 ， 并且非常节能 。 此外 ， 其偏移发生得如此之快 ， 以至于数据写入速度可以比现有技术快100倍 。
目前 ， 团队已为该设计申请了专利 。 他们还在研究下一步改进的方法 ， 例如寻找除二碲化钨之外的其他2D材料 。 研究人员表示 ， 对超薄层进行非常小的调整 ， 就会对它的功能特性产生很大的影响 ， 而人们可以利用这一知识来设计新型节能设备 ， 以实现可持续发展和更智慧的未来存储方式 。
总编辑圈点
我们的数据存储方式 ， 早已从磁带、软盘和CD等介质 ， 进化到了能够在无数微型晶体管中保存数据的精密半导体芯片 ， 而且其容量可以呈指数级增长 。 这是一个壮举 。 但时至今日 ， 硅基芯片的能力仍告不足——人类数据爆炸式增长的同时 ， 还要对动态数据快速地利用、分析 ， 不断增加的需求给存储方式不断带来新的压力 。 这一状态无疑将推动存储方式持续变革 ， 究竟谁会在这一次的革新中发挥最重要的作用？有人说是DNA ， 也有人说是单原子 。 全球都在注视着 ， 这些候选者中哪个技术最先成熟 ， 或哪个能率先投入市场应用 。


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