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充电|国产充电技术实现重大突破，OPPO称20分钟充满一部手机

_原题为 国产充电技术实现重大突破 ， OPPO称20分钟充满一部手机
【充电|国产充电技术实现重大突破，OPPO称20分钟充满一部手机】自小米年初发布超小体积 65W GaN 充电器引爆氮化镓概念后 ， 又一家国产手机厂商在充电技术上实现了重大突破 。
7月15日下午 ，OPPO正式发布125W超级闪充和65W AirVOOC技术 ， 双双刷新有线无线充电功率纪录 。 OPPO VOOC 闪充首席科学家张加亮表示 ， 125W超级闪充不仅 5 分钟即可将等效 4000mAh 电池能量的手机充至 41% ， 20 分钟完全充满 ， 更将熄屏待机充电时温度严格控制在40℃以下 。
同时 ， OPPO还首次发布了超小便携的50W超闪饼干充电器、110W超闪mini充电器 ， 从超高功率的有线、无线充电到便携兼容充电器实现全面覆盖 。
随着 5G 手机耗电量增加 ， 大功率快充将成为标配 ， 同时手机、笔电、平板电脑等终端产品充电器将趋于归一化 ， 而头部手机厂商在百瓦充电技术级别上的竞争呈现白热化趋势 。 先是小米120W快充头通过了3C认证 ， 而后包括vivo和Realme在内的手机厂商均在近期先后公布了120W快充量产计划 。
据采访人员了解 ， 在此次发布的125W超级闪充技术上 ， OPPO采用的技术方案主要是通过“并联三电荷泵 ， 多极耳双6C电芯”的技术完成 ， 配合十颗新增温度传感器的严苛温控 。 张加亮表示 ， 如果没有温度的限制 ， 该方案充满4000mAh电池 ， 实际上最短可以仅用13分钟 。
除了自研技术外 ， 从主流赛道上看 ， 采用氮化镓GaN材料技术也成为了手机厂商的最新选择 。
充电|国产充电技术实现重大突破，OPPO称20分钟充满一部手机
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据了解 ， 氮化镓是第三代半导体材料之一 。 第一代半导体材料以硅和锗为主 ， 是CPU处理器等集成电路主要运用的材料；第二代半导体指一部分化合物半导体 ， 包括砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等 ， 主要特性是频率较高 。 相比于一、二代材料 ， 氮化镓有着高导热、耐高温、小体积等优势 ， 采用这种材料的充电器体积小 ， 重量轻 ， 在发热量、效率转换上相比普通充电器也有更大的优势 。
今年2月份 ， 小米发布的充电器就采用了氮化镓技术 ， 促使充电运行速度比以前的硅（Si）电源芯片快 100 倍 ， 仅需 45 分钟即可对 Mi 10 PRO 进行 0 至100％的充电 。 华西证券认为 ， 随着 GaN 充电器被消费者熟知 ， 产品快速放量带来成本下降 ， GaN 充电器将快速成为后续手机品牌的盒内标配 。
而在此次OPPO公布的最新技术来看 ， 氮化镓材料也被引入其中 。
针对传统变压器体积问题 ， OPPO表示 ， 50W超闪饼干充电器从常规变压器升级到高频平板变压器 ， 纵向空间减小了50% 。 其中 ， 引入氮化镓高频开关 ， 使变压器单次储能需求变小 ， 进而减小了变压器体积 。
根据市场调研机构Yole预测 ， 如果苹果等手机厂商采用氮化镓材料技术 ， 其他公司也将跟随 ， 那么到2023年氮化镓电源市场规模将达到4.23亿美元 ， 复合年均增长率达93％ ， 有极大增长空间 。
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