Intel|7nm延期 6nm GPU外包 Intel晶圆厂将何去何从( 四 )
那么英特尔可以赶上台积电嘛？在英特尔于2019年5月举办投资者会议上 ， 该公司首席工程官Murthy Renduchintala列出了英特尔制造流程的路线图：
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该图表表明 ， 英特尔的7纳米工艺的晶体管密度较之10纳米工艺的晶体管密度增加一倍 ， 与台积电的5纳米工艺持平或略微领先 。
从表面上看 ， 戴维斯似乎证实了人们普遍对7 nm的期望 ， 但请注意这些期望的条件如何 。他们只是在谈论回到同台竞技（可能是台积电的5纳米节点） ， 而7纳米的开始时间似乎已经延后2021年底 。
过去的产能爬坡（甚至14 nm）已经非常缓慢地开始了 ， 最初的可用性非常有限 。即使英特尔在2021年的最后期限之前完成 ， 产品可用性也可能仅限于数量有限的小型移动设备 。
但到2021年底 ， TSMC将在其5 nm节点上具有至少18个月的批量生产经验 。英特尔要达到与TSMC 5纳米节点相当的性能和晶体管密度 ， 才能实现可比的生产量 ， 因此英特尔无法实现真正的追赶 。
业界专家Scotten Jones在SemiWiki上发表的题为《TSMC是否可以保持其工艺技术领先地位》的最新文章讨论了英特尔是否可以从TSMC手中夺回工艺领导地位 。
在本文中 ， 琼斯介绍了他对Intel ， TSMC和Samsung各个节点的晶体管密度的分析（使用Intel方法计算） 。他证实 ， 英特尔的10纳米制程可提供与竞争的7纳米制程相同的晶体管密度 ， 但不等于三星和台积电的5纳米制程 。他预计英特尔的7纳米工艺将比台积电当前的5纳米工艺稍好 ， 但不会比台积电的3纳米工艺好：
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在该表中 ， 晶体管密度以每平方毫米数百万个晶体管表示 。琼斯没有提供有关英特尔5纳米制程的任何计算 ， 因为对这种制程及其何时发布的了解还不够 。
台积电表示 ， 它预计将于2022年下半年开始在其3 nm节点上开始批量生产 。关于英特尔的7 nm计划 ， Jones指出： “现在情况变得越来越模糊 ， 英特尔的7纳米制程将于2021年开始以2.0倍的缩减率开始增长 。三星和台积电都将在2021年开始3nm风险试产 。
假设英特尔能追上他们 ， 它们可能会短暂地具有生产密度优势 ， 但是英特尔的14nm和10nm工艺都已经晚了几年 。随着COVID-19普遍影响整个半导体行业 ， 尤其是美国 ， 所以Intel在2021年的时间线完成这件事的可能性不高 。”
琼斯在文章中总结道：“台积电今年以其5纳米工艺在工艺密度方面领先 。未来则取决于Intel 7纳米制程与台积电3纳米制程的确切时间 ， 英特尔可能会暂时重新获得制程密度的领先优势 ， 但台积电将通过其3纳米制程快速通过它们 ， 届时他们每平方毫米超过3亿个晶体管！”我很希望看到英特尔以摩尔定律的步伐重回正轨 。
英特尔与代工厂商之间重新展开竞争对消费者和整个行业来说都将是一个巨大的进步 。
英特尔在其14纳米制程上似乎无休止的迭代已成为PC技术评论家中的一个恶作剧 。但我认为 ， 就晶体管密度和进度而言 ， 有关英特尔7纳米制程的假设非常站不住脚 。我不相信英特尔将能够实现其7纳米的目标 ， 尽管它可能会试图声称自己已经通过在2021年后期生产有限数量的7纳米芯片来宣称可以达到“同等水平” 。。但这样的主张几乎毫无意义 。在给定节点上以实验方式生产有限数量的芯片是一回事 ， 而在该节点上以盈利方式生产大量芯片则是另一回事 。
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