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继推出国内首款NVMe存储Mach后 宏杉将NVMe全闪从产品到解决方案系列化( 二 )


通过这些革新技术 ， 基于PCIe和NVMe技术的SSD比SAS SSD的访问延时减少了20us ， 未来NVMe的目标是延时低于10us 。
2、高性能（IOPS、Throughput）
一般来说 ， IOPS=队列深度/IO延时 ， 随着队列深度增加 ， IO的延时也会提高 。 高端企业级SAS SSD的队列深度通常是256 ， 以发挥SAS SSD的最高性能 ， 但这对最大支持64k队列深度的NVMe来说远不解渴 。
要想充分发挥SSD的魔力性能 ， 存储控制器的CPU性能也必须强大：不仅是多核 ， 还要求单核有足够的多线程处理性能 。 与SAS SSD支持一个队列相比 ， NVMe SSD已经支持多个队列 ， 每个CPU核中的每个线程可独享一个队列 。
宏杉科技洞悉全闪存技术的发展趋势 ， 在国内领先发布了NVMe全闪存阵列 ， 以高性能、低延时和完善的可靠性设计在金融、石油、政府、教育、医疗等行业实现了不同场景的应用部署 。 目前 ， 宏杉科技已实现NVMe全闪存产品的系列化 ， 并完善了端到端的NVMe over Fabrics解决方案 。 未来 ， 宏杉科技Mach系列产品必将继续引领NVMe全闪存阵列发展 。
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