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Intel|英特尔被控侵犯中科院微电子所FinFET专利 赔偿或超2亿元

7月28日下午 ， 国家知识产权局专利复审委员会（下称“复审委”）口头审理了201110240931.5（下称“FinFET专利”）发明专利的无效申请 。无效申请的请求人是英特尔（中国）有限公司（下称“英特尔”） ， 而专利权人为中国科学院微电子研究所（下称“微电子所”） 。

这是英特尔为应对微电子所2018年发起的专利侵权诉讼而采取的措施 。在此之前 ， 英特尔已经先后5次在中美两地对涉案专利及其美国同族专利发起无效申请 ， 均以失败告终 。复审委最新的审查决定尚未发布 ， 不过结果或许没有太多悬念 。
在被中美两地专利审查及复审机关多次驳回无效请求之后 ， 英特尔在与微电子所的专利诉讼中已没有多少腾挪余地 ， 一再对同一专利提出无效申请亦不乏刻意拖延之嫌 。诉讼虽然尚未有结果 ， 不过英特尔已先行向被“连累”的“友军”做了赔偿承诺 。而一旦败诉 ， 英特尔要面对的可能不止是天价专利侵权赔偿 ， 更是酷睿系列处理器——这个几乎承载了英特尔最荣光岁月的产品系列——被禁售的可能性 ， 或者被迫和解而必须付出的其他代价 。
英特尔VS微电子所
事情肇始于2018年2月呈送于北京高院的一纸发明专利侵权诉讼 。诉讼原告为微电子所 ， 被告为英特尔、戴尔（中国）有限公司（下称“戴尔”）和北京京东世纪信息技术有限公司（下称“京东”） 。微电子所诉称 ， 英特尔酷睿（Core）系列处理器侵犯了其名为“半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法”的FinFET专利 ， 要求英特尔停止侵权 ， 赔偿至少2亿元人民币 ， 并承担诉讼费用 ， 同时申请法院下达禁令 。
2018年4月24日 ， 北京高院开庭审理了一次 ， 审判日期尚未确定 。在此期间 ， 英特尔为应对诉讼做了大量工作 。2018年3月 ， 英特尔首次向复审委对FinFET专利提出无效申请 ， 当年9月 ， 复审委组织口审 。次年1月31日 ， 复审委发布审查决定书 ， 维持FinFET发明专利权有效 。随即 ， 英特尔第二次向复审委提交FinFET专利无效申请 。此次无效审查仍在进行中 ， 已经过口审 ， 审查决定尚未发布 。
与此同时 ， 2018年9月和2019年3月 ， 英特尔先后两次向美国专利商标局（下称“USPTO”）提交申请 ， 申请FinFET专利的美国同族专利9070719（下称“719专利”）无效 。USPTO分别于2019年3月和9月驳回英特尔申请 。英特尔对此结果并不接受 ， 分别于2019年4月和11月 ， 向USPTO及其POP提交复审请求和请愿书 ， 质疑USPTO的审查决定 。2020年1月 ， USPTO驳回英特尔对2019年4月提出的复审请求 。6月 ， 美国专利审判和上诉委员会（下称“PTAB”）驳回英特尔重审请求 。
至此 ， 从中国到美国 ， 除了行政诉讼手段 ， 英特尔几乎用尽了所有可能将专利侵权诉讼消弭于无形的手段 ， 结果不容乐观 。以不同理由 ， 在不同区域对同一专利提起无效申请 ， 固然起到缓兵之计的效果 ， 但接下来英特尔所能选择的应诉手段已经极为有限了 。
绕不开的FinFET工艺
在多次复审中 ， FinFET专利已经证明了其非比寻常的专利稳定性 。试图通过申请专利无效避免侵权诉讼已经几乎被证伪 ， 而在与微电子所的侵权诉讼中 ， 英特尔同样没有足够胜算 。
Intel|英特尔被控侵犯中科院微电子所FinFET专利 赔偿或超2亿元
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涉案的FinFET专利是一项与FinFET工艺相关的发明专利 ， 而微电子所在FinFET领域专利实力非常雄厚 。国外专利咨询公司LexInnova在2015年进行的FinFET领域专利调查研究显示 ， 中科院微电子所专利申请数量在该领域排名第11位 ， 专利申请质量被评估为全球第一 。
自2011年22nm工艺节点的第三代酷睿处理器开始采用FinFET工艺 ， FinFET几乎是全球主流晶圆厂的不二之选 。英特尔第三代之后的酷睿系列处理器自然概莫能外 。微电子所在专利侵权诉讼中 ， 也提及了酷睿系列处理器 。酷睿系列处理器是奠定了英特尔雄霸之路的产品 ， 时至今日 ， Core i7、Core i5、Core i3等一个个耳熟能详的名字几乎是英特尔的产品名片 。此次诉讼波及的酷睿系列产品范围 ， 尚未可知 。不过 ， 就FinFET专利的权利保护范围来看 ， 可能所涉颇广 。
深圳嘉德知识产权服务有限公司专利主管董琳告诉集微网采访人员：“从方法角度来看 ， 只要是先在栅极线外侧形成了侧墙之后 ， 再切断（电学隔离）栅极线的FinFET设计 ， 都会落入微电子所FinFET专利保护范围；从结构角度来看 ， 微电子所FinFET专利保护范围包括在同一直线延伸的栅电极两侧具有侧墙且侧墙未将栅电极的隔离端面包围的FinFET设计 。”


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