记忆|强迫症有救了!科学家证实:非侵入性磁刺激可消除负面记忆( 二 )


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值得一提的是 , 前额叶皮层在一定程度上具有不对称性 , 所以研究人员在实验中分别检测了参与者左右两侧的 dlPFC 变化 , 并发现 rTMS 次日(24 小时后)左右两侧 dlPFC 对恐惧记忆的生理反应减少的程度相近——也就是说不论在哪一侧 , rTMS 都发挥了积极效用 。
不过 , 研究团队也发现下列情况中参与者对恐惧记忆的生理反应并未有任何变化:

  • 在 rTMS 刚进行之后就对参与者进行皮电反应;
  • 对没有恐惧记忆的参与者进行 rTMS 。
更为重要的是 , 在经过 rTMS 之后 , 参与者的恐怖记忆也并未恢复 。
综合上述结果来看 , rTMS 对 dlPFC 的影响将随着时间的推移而变化;在记忆反固化过程中 , 以无创的方式刺激大脑消除记忆是可行的 。
基于此 , 研究人员认为:
这些发现为理解恐惧记忆重新整合的机制提供了方向;同时 , 对于靶向情绪、适应不良记忆也具有潜在临床意义 。 这些发现将对恐惧症、创伤后应激障碍、强迫症等疾病的治疗提供思路 。
这里需要解释的是 , 在强迫症的范畴中 , 有一种记忆强迫症 。 其原因在于 , 由于心理防御意识过强 , 强迫记忆会带来心理与行为方面的障碍 , 使得患者整天处于惶恐、焦虑的情绪中 。 有研究表明 , 记忆强迫症患者时常会将大脑空间都留给各种回忆 , 因此会出现记忆问题 。
实际上 , 各地的研究团队已经研发出了不少消除负面记忆的技术 , 比如:
  • 在大脑特定区域注射异丙酚(一种全身麻醉剂) , 给药 24 小时后负面记忆得以被破坏;
  • 利用光遗传学技术刺激海马体的特定区域 , 实现对消极记忆的消除;
  • 开发受光遗传学启发的类脑芯片 , 通过模仿大脑存储和删除信息的方式消除消极记忆;
  • 基于基因编辑实现特定记忆的精准删除 。
可见 , 消除负面记忆已经不止存在于艺术家的想象之中 , 用前沿技术实现科幻作品中的构想成为可能 。
引用来源:
https://doi.org/10.1016/j.cub.2020.06.091
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