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中年|深科技拟定增募资 用于存储先进封测与模组制造项目


深科技发布2020年度非公开发行A股股票预案 ， 公司拟非公开发行不超89,328,225股股票 ， 募资不超171,000万元 ， 扣除发行费用后将全部用于存储先进封测与模组制造项目 。
中年|深科技拟定增募资 用于存储先进封测与模组制造项目
本文插图

据披露 ， 存储先进封测与模组制造项目总投资306,726.40万元 ， 其中建设投资296,471.17万元 ， 铺底流动资金10,255.23万元 。 项目建设周期为36个月 ， 主要建设内容为:
(1)DRAM存储芯片封装测试业务 ， 计划全部达产后月均产能为4,800万颗
(2)存储模组业务 ， 计划全部达产后月均产能为246万条模组
(3)NANDFlash存储芯片封装业务 ， 计划全部达产后月均产能为320万颗
本项目技术来源于沛顿科技自主研发与长期积累 ， 沛顿科技存储芯片封装制程采用的是当前高端产品的主流技术 ， 如wBGA、LGA、SOP、TSOP、QFN、系统级SiP封装技术等 ， 现有产品已实现多达16层的多晶堆叠技术 ， 最大单颗芯片容量可达到256G 。
沛顿科技具备DDR4封装和测试技术 ， 采用的BGA、LGA等封装技术优势明显 ， 产品合格率高 ， 交货周期快 ， 产品质量稳定 ， 领先于国内其他竞争对手沛顿科技的日本研发团队开发测试方案和程式 ， 提供定制化服务的支持 ， 技术工艺竞争优势明显 。

深科技表示 ， 随着本次募投项目的实施 ， 有利于打破国内存储器领域对进口产品的依赖和技术壁垒 ， 加速存储器国产化替代进程 ， 提升国产存储器芯片的产业规模 ， 促进我国存储器产业链发展 。
中年|深科技拟定增募资 用于存储先进封测与模组制造项目
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本项目实施后 ， 可满足客户较大需求的DRAM、Flash存储芯片封测以及DRAM内存模组制造业务 ， 有助于国内存储器芯片封测的深度国产化 。 公司根据客户整体产能建设的需要 ， 契合客户业务布局 ， 对公司建立长期稳定的客户关系起到积极作用 。 客户产能的逐步提升将直接带动公司集成电路封测业务的订单增加 。 本次募投项目实施后的新增产能加上公司现有产能 ， 将为存储器芯片国产化提供保障 。
【来源:集微网】【作者:lee】
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