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台积电|台积电更新技术路线图：2纳米3纳米工艺将按时推出( 二 )


到2022年N4产品投入量产时，台积电将拥有约两年的N5经验和三年的EUV经验 。因此，人们的预期是，其收益率将会很高 。但是，即使N4被认为是尖端的，它也不会是台积电明年提供的最先进制造技术 。
N3将于2022年下半年亮相
2022年，台积电将推出其全新的N3制造工艺，该工艺将继续使用FinFET晶体管，但预计将提供一整套PPA改进方案 。特别是，与目前的N5工艺相比，台积电的N3承诺将性能提高10%-15%，或者降低25%-30%的功耗 。同时，根据结构的不同，新节点还将使晶体管密度提高1.1到1.7倍 。
N3将进一步增加EUV层的数量，但将继续使用DUV光刻 。此外，由于该技术始终在使用FinFET，它将不需要从头开始重新设计的新一代电子设计自动化(EDA)工具和开发全新的IP，相对于三星基于GAAFET/MBCFET的3GAE，这可能更具竞争优势 。
魏哲家表示：“N3将是我们继N5之后的又一次全面节点跨越，它将使用FinFET晶体管结构为我们的客户提供最好的技术成熟度、性能和成本 。我们的N3技术开发进展良好 。与N5和N7相比，我们继续看到N3的HPC和智能手机应用客户参与度要高得多 。”
事实上，台积电声称客户对N3的参与度越来越高，间接地表明了其对N3寄予了厚望 。魏哲家说：“N3的风险生产预计在2021年启动，量产目标是在2022年下半年 。我们的N3技术推出后，将成为PPA和晶体管技术中最先进的代工技术 。我们有信心，我们的N5和N3都将成为台积电大规模和持久使用的节点工艺 。”
超越N3
全栅场效应晶体管(GAAFET)仍是台积电发展路线图的重要组成部分 。该公司预计将在其“后N3”技术(大概是N2)中使用全新的晶体管 。事实上，台积电正处于寻找下一代材料和晶体管结构的阶段，这些材料和晶体管结构将在未来许多年内使用 。
台积电在最近的年报中称：“对于先进的CMOS（互补金属氧化物半导体），台积电的3纳米和2纳米CMOS节点在流水线上进展顺利 。”此外，台积电加强的探索性研发工作集中在2纳米节点、3D晶体管、新存储器和Low-R互连等领域，这些领域正在为引入许多技术平台奠定坚实的基础 。
值得注意的是，台积电正在12号工厂扩大研发能力，目前正在研发N3、N2和更先进的节点 。
有信心超越代工行业整体增长率
总体而言，台积电相信，其“大家的晶圆代工厂” (everyone's foundry)战略将使其在规模、市场份额和销售额方面进一步增长 。该公司还预计，未来将保持其技术领先地位，这对其增长至关重要 。
台积电首席财务官黄文德最近在与分析师和投资者的电话会议上表示：“我们现在预测，2021年全年，代工行业的增长率约为16% 。对于台积电来说，我们有信心能够超越晶圆代工行业的整体增长，在2021年实现20%左右的增长 。”
该公司拥有强大的技术路线图，并将继续每年推出改进的前沿节点，从而以可预测的节奏为客户提供技术改进 。
台积电知道如何与拥有尖端节点的竞争对手以及专注于专业工艺技术的芯片制造商竞争，因此它并不认为英特尔代工服务(IFS)是直接的威胁，特别是因为后者主要聚焦于尖端和先进的节点 。
金融分析师普遍认同台积电的乐观态度，主要是因为预计该公司的N3和N5节点将不会有竞争对手提供类似的晶体管密度和晶圆产能 。
华兴证券分析师表示：“继英特尔今年3月宣布的晶圆代工业务回归后，台积电愿意从2021年开始制定为期3年的1000亿美元资本支出和研发投资计划，这表明其有信心扩大代工领导地位 。我们认为，随着N3和N5的出现，台积电的战略价值也在上升：HPC和智能手机应用的N5生产活动强劲，同时与N5和N7在类似阶段相比，N3客户的参与度更高 。
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台积电|台积电更新技术路线图：2纳米3纳米工艺将按时推出
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