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三星|号称功耗降一半！曝三星3nm GAA存漏电等缺陷：难敌台积电

上周有报道称 ， 三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung在一场网络技术论坛中透露 ， 三星能够抢在主要竞争者台积电之前 ， 宣布GAA技术商业化 。
当时他曾放下狠话称：“我们开发中的GAA技术 ， 领先主要竞争者台积电 。一旦巩固这项技术 ， 我们的晶圆代工事业将可更加成长 。”
但是根据最新报道 ， 有业内人士表示三星目前的3nm GAA工艺依然面临着漏电等关键技术问题 ， 且在性能和成本方面可能也存在一些问题 ， 或许将依然不敌台积电3nm FinFET工艺 。
据此前消息 ， GAA是一种新型的环绕栅极晶体管 ， 通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET ， 多桥-通道场效应管） ， 该技术可以显著增强晶体管性能 ， 主要取代FinFET晶体管技术 。
根据三星的说法 ， 与5nm制造工艺相比 ， 3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上 ， 功耗降低了50% ， 性能提高了约30% ， 纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺 。
不过 ， 上述人士透露 ， 三星可能最早于2022年将其3nm GAA工艺量产 ， 但由于成本高和性能不理想 ， 可能无法吸引到台积电3nm FinFET工艺所获得的客户 ， 同时他还称台积电目前已经提前拿到了苹果和英特尔的订单 。
【三星|号称功耗降一半！曝三星3nm GAA存漏电等缺陷：难敌台积电】
三星|号称功耗降一半！曝三星3nm GAA存漏电等缺陷：难敌台积电
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