石头|UP主捡块石头搓出个CPU？恕我直言 人类做不到( 二 )
这样成片的硅晶圆有了，下一步才是展现实力的时候——刻：光刻和刻蚀 。
这位 UP，先是涂上一层 “ 光刻胶 ”，然后把自己的硅晶圆搬到一个小暗房，用紫外线等把电路图印在晶圆上，这样 UP 主就完成了土 “ 光刻 ” 这一步 。
那正儿八经的光刻是咋样的呢？
当我们有了刚从棒子上 “ 片 ” 好的晶圆，得先做一次无尘化处理，但凡一粒灰尘混进去，都会对硅晶圆的导电性产生影响，那这块晶圆基本就废了 。
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做好无尘化清洁处理，我们再涂上一层光刻胶，开始印电路图 。
为啥用光刻胶呢，因为它对紫外线极其敏感 。
我们拿出芯片设计阶段提前设计好的电路图掩膜，用强紫外线光束透过掩膜把电路图印在光刻胶上，第一轮光刻就算结束了
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看上去也不是很难？
那你听完我给你讲的这几个细节 。
首先是芯片制造环境，因为光刻胶对紫外线这种短波光极其敏感，普通日光灯里的紫外线也会让光刻胶提前曝光，所以晶圆制造的整个实验室内灯光全都是长波长的黄光 。
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这也是我们平时网上看到的制芯实验室都是 “ 黄不拉几 ” 的原因，有点像是很久以前胶片冲洗的暗房 。
说完环境，我们再说光刻最重要的玩意——光 。
就一个紫外线光也分类很多，比如 UV（ 紫外线：Ultraviolet ）光 。
目前业界使用最多的 DUV（ Deep Ultraviolet ）光，它的波长是 193nm，除了光刻，DUV 还被用在矫正近视眼上面 。
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而现在最牛掰的就数 EUV（Extreme Ultraviolet ），它的波长只有 13.5 nm 。
之所以我们能造出来越来越小制成的芯片，从 14nm 到 7nm 再到 5nm 甚至 3nm，都源于不断精进的紫外线波长 。
巧妙的是，EUV 其实还是用的 DUV 的光源，只要用 DUV 的光脉冲去连续两次打击液态金属锡，就可以激发出波长更短的 EUV 。
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并且上述这些操作，可都是纳米级的哈 。
除此之外，光刻机里那些反射 EUV 光线的镜子也大有学问 。
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那个直径 30 厘米的镜子，用 ASML 的话说：
“ 这可能是宇宙中最平滑的人造结构 ”。
它有多平呢？如果这块镜子有地球那么大，那它不平的地方也就一根头发丝的厚度 。
光刻结束以后，下一步就是刻蚀了 。
光刻只是把电路图印在上面，而工业级的刻蚀等一系列步骤可以把这些电路图垒起来，并让它导电 。
咱先说 UP 主这边，光刻结束以后，他直接掏出一瓶酸开始了他的土 “ 刻蚀 ” 步骤 。
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但酸刻蚀会刻的相当不均匀，还可能会损坏晶圆体，而且要酸冲蚀好几遍才能弄干净 。
但正儿八经的刻蚀应该是啥样的？
这就得说到专业的刻蚀机了 。
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工业级刻蚀机的用法，是选择等离子体物理轰炸冲击的技术，在硅晶圆上 “ 炸 ” 出电路图 。
不明白等离子体物理冲击技术也没事，你可以理解成盖房子打地基的过程 。
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跟光刻机一样，我也给大家举几个刻蚀机的技术难点 。
比如等离子体在冲击轰炸晶圆的时候，会有极少部分的合成物颗粒落在晶圆上 。
而这个仅有 20nm 的颗粒，有可能破坏掉晶圆甚至让芯片直接报废 。
如果我们以加工 5nm 制程芯片为例，一片 12 寸的晶圆上，直径大于 20nm 的颗粒不能超过两个 。
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