江苏龙网

  1. 主页 > 生活百科 > >

IGBT知识归纳总结 雅乐思电磁炉( 二 )


此外 ， 在栅极—发射极间开路时 ， 若在集电极与发射极间加上电压 ， 则随着集电极电位的变更 ， 由于集电极有漏电流流过 ， 栅极电位升高 ， 集电极则有电流流过 。这时 ， 如果集电极与发射极间存在高电压 ， 则有可能使IGBT发热及至破坏 。
在应用IGBT的场所 ， 当栅极回路不正常或栅极回路破坏时（栅极处于开路状况） ， 若在主回路上加上电压 ， 则IGBT就会破坏 ， 为防止此类故障 ， 应在栅极与发射极之间串接一只10K左右的电阻 。
在安装或改换IGBT模块时 ， 应十分看重IGBT模块与散热片的接触面状况和拧紧水平 。为了减少接触热阻 ， 最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂 。一般散热片底部安装有散热风扇 ， 当散热风扇破坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热 ， 而产生故障 。因此对散热风扇应定期进行检讨 ， 一般在散热片上靠近IGBT模块的处所安装有温度感应器 ， 当温渡过高时将报警或停滞IGBT模块工作 。
 栅极电阻RG对IGBT开关特征的影响

IGBT知识归纳总结 雅乐思电磁炉

文章插图
igbt开关特征
IGBT开关特征的设定可受外部电阻RG的影响 。由于IGBT的输入电容在开关期间是变更的 ， 必需被充放电 ， 栅极电阻通过限制导通和关断期间栅极电流 (IG)脉冲的幅值来决议充放电时光(见图1) 。由于栅极峰值电流的增长 ， 导通和关断的时光将会缩短且开关损耗也会减少 。减小RG(on)和 RG(off)的阻值会增大栅极峰值电流 。当减小栅极电阻的阻值时 ， 须要斟酌的是当大电流被过快地切换时所发生的电流上升率di/dt 。电路中存在杂散电 感在IGBT上发生大的电压尖峰 ， 这一后果可在图2所示的IGBT关断时波形图中视察到 。图中的暗影部分显示了关断损耗的相对值 。集电极-发射极电压上的 瞬间电压尖峰可能会破坏IGBT ， 特殊是在短路关断操作的情形下 ， 因为di/dt比拟大 。可通过增长栅极电阻的值来减小Vstray 。因此 ， 清除了由于过 电压而带来的IGBT被损毁的风险 。迅速的导通和关断会分离带来较高的dv/dt和di/dt ， 因此会发生更多的电磁干扰(EMI) ， 从而可能导致电路故障 。
对续流二极管开关特征的影响续流二极管的开关特征也受栅极电阻的影响 ， 并限制栅极阻抗的最小值 。这意味着IGBT的导通开关速度只能进步到一个与所用续流二极管反向恢复特征相兼 容的程度 。栅极电阻的减小不仅增大了IGBT的过电压应力 ， 而且由于IGBT模块中diC/dt的增大 ， 也增大了续流二极管的过压极限 。通过应用特别设计 和优化的带软恢复功效的CAL(可控轴向寿命)二极管 ， 使得反向峰值电流减小 ， 从而使桥路中IGBT的导通电流减小 。
IGBT与MOS管的差别 ， 可控硅的差别IGBT在构造上是NPN行MOSFET增长一个P结 ， 即NPNP构造 ， 在原理上是MOS推进的P型BJT 。
可控硅也叫晶闸管 ， 分双向和单向 ， 单向可控硅也是单向导通 ， 可以实现整流 ， 但它通过掌握导通角可以实现可控整流程 IGBT：绝缘栅场效应晶体管 ， 作用相似三极管 ， 但在这里当开关管用（不能用于放大状况） ， 通过掌握G极可以实现C ， E两端的通断 。一般可用在逆变回路中 。
门控管(IGBT)的检测办法门控管(IGBT)是由场效应管作为推进管 。
大功率管作为输出管的有机组合 。运用于电磁灶等的大电流、高电平电器中的一种特别器件 。检修中对门控管的检测有如下几种办法：
一、万用表检测法1
1.用指针式万用表R10k挡 。黑表笔接门控管发射极 ， 红表笔接门控管栅极 ， 此时向栅极反向充电 。随后红表笔接发射极 ， 黑表笔接集电极 。万用表指针应不动(指在机械零位) ， 表明该管未击穿破坏 。2.用指针式万用表黑表笔接栅极 ， 红表笔接发射极 ， 此时向栅极正向充电 。随后黑表笔接集电极 ， 红表笔接发射极 ， 万用表指针指导应为零 。
3.如符合以上规律 ， 表明该门控管的饱和导通和截止状况均正常 。根本未破坏 。
二、万用表检测法2
用指针式万用表R1k挡 ， 数字式万用表选“测二极管档”挡 ， 将门控管集电极、发射极、栅极短接充足放电 。万用表黑、红表笔正、反接集电极、栅极和发射极、栅极的电阻 ， 均应为无限大 ， 否则表明该管已破坏 。


推荐阅读


上一篇：佤装服饰秀 你见过吗？ 佤族服饰

下一篇：对于香草荚，你了解多少？ 香草豆荚