【盈运军事】中国电科山西碳化硅材料产业基地投产

集微网消息 , 2月28日 , 中国电科(山西)碳化硅材料产业基地举行投产仪式 。
【盈运军事】中国电科山西碳化硅材料产业基地投产
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图片来源:中国电科
中国电科党组书记、董事长熊群力指出 , 中国电科(山西)电子信息科技创新产业园是中国电科围绕半导体材料、装备制造产业领域在晋的战略布局 。
中国电科(山西)电子信息科技创新产业园项目包括“一个中心、三个基地” 。 “三个基地”即中国电科(山西)碳化硅材料产业基地、中国电科(山西)电子装备智能制造产业基地、中国电科(山西)能源产业基地 。
此前有消息称 , 中国电科(山西)碳化硅材料产业基地将建成国内最大的碳化硅(SiC)材料供应基地 。 中国电科(山西)碳化硅产业基地一期项目于2019年4月1日开工建设 , 同年9月26日封顶 , 据此前山西综改示范区消息 , 一期项目建筑面积2.7万平方米 , 能容纳600台碳化硅单晶生产炉和18万片N型晶片的加工检测能力 , 可形成7.5万片的碳化硅晶片产能 , 将彻底解决国外对我国碳化硅封锁的局面 , 实现完全自主可供 。 项目投产后将成为中国前三、世界前十的碳化硅生产企业 , 可实现年产值10亿元 。
由于大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率 , 碳化硅材料在众多战略行业具有重要的应用价值和广阔的应用前景 。
【【盈运军事】中国电科山西碳化硅材料产业基地投产】自2007年 , 中国电科2所便着手布局碳化硅单晶衬底材料的研制规划 , 依靠自身在电子专用设备研发领域的技术优势 , 潜心钻研着碳化硅单晶生长炉的研制 。 目前全面掌握了高纯碳化硅粉料制备工艺、4英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺 , 形成了从碳化硅粉料制备、晶体生长、晶片加工、外延验证等整套碳化硅材料研制线 , 在国内最早实现了高纯碳化硅材料、高纯半绝缘晶片量产 。 (校对/图图)


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