芯片|华为芯片“断供”迎来最强帮手：合资生产芯片，打破美国技术垄断( 二 )
华为明年之后的芯片生产 ， 该何去何从呢？
正愁没有新的出路的时候 ， 华为芯片“断供”迎来最强帮手：日本松下公司日前对媒体表示：目前松下生产的芯片完全可以满足华为的芯片需求 ， 如果华为愿意 ， 可以与松下合资开办生产芯片的子公司 。松下公司此时向华为伸出援助之手 ， 无疑是及时雨 ， 太及时了 。 如果可以合资生产芯片 ， 将打破美国芯片技术垄断 。
然而看到松下的这个表现 ， 是何原因呢？从上个世纪五十年代开始 ， 松下就开始了研发半导体 ， 后来因为国际因素的影响 ， 日本半导体产业逐渐走向衰落 ， 这也是一个不争的事实 。 虽然日本半导体产业在终端领域无法发力 ， 但是追溯至半导体产业链上游 ， 日本半导体仍然占据着优势 ， 如控场硅晶圆、光罩技术、半导体晶圆合成等必备资源 ， 芯片加工的经验积累等 ， 都是松下比较有优势的地方 。 一个有资源和加工技术优势 ， 一个有设计方案优势 ， 两者联合 ， 还真有可能碰撞出火花来 ， 实现双赢 。
对于国际公司的声援 ， 我们满怀感激 。 而另一面 ， 我国国内也实现了芯片加工的技术突破 ， 荷兰光刻机很有可能不再是我国芯片发展的限制因素 。
我国芯片光刻传来捷报：中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 ， 张子旸团队 ， 近日在中科院官网上刊登了一篇报道 ， 称已经实现了5nm超高精度光刻技术的突破 ， 并研发出了一种新型的5nm芯片加工方法 。 该加工方法 ， 使用一种新型三层堆叠薄膜结构 ， 在无掩模光刻机上采用双激光束交叠技术 ， 精确控制能量密度及步长 ， 以实现5nm的特征线宽；同时也利用了激光与物质的非线性相互作用 ， 来提高加工分辨率 ， 并突破光刻受体为有机光刻胶的限制 ， 应用场景更广泛 。
值得一提的是 ， 这与ASML的EUV光刻技术是完全不同的技术方法 。 而且 ， 更为关键的是 ， 张子旸团队使用的激光直写设备是具有完全自主知识产权的 ， 如果未来这项技术实现量产 ， 也就意味着我国的芯片生产将不会再受来自美国技术的影响 ， 我们能够生产出真正意义上的国产芯片 。 我国5nm光刻技术实现突破 ， 也成功打破美国的技术垄断 。
未来 ， 我们能否实现新光刻技术的量产 ， 能否打破ASML公司的垄断地位 ， 我们共同期待~
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