Intel|英特尔退位，台积电称王( 二 ) 英特尔退位，台积

而错过EUV（极紫外光刻）技术，就是英特尔在10nm制程节点遭遇的一场“劫难” 。
工艺的升级与摩尔定律有关：一块集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18~24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
因此，从14nm、7nm再到5nm ，每一次缩短芯片制程（单位：微米μm、纳米nm），相当于在一块同等大小的芯片上，塞进更多晶体管。这样可节省更多时间和能量，运行效率也就更高。
但这也意味着，制造工艺的难度将呈指数级变大。新技术的“掺入” ，成为缩小制程数字的关键。
在EUV技术被采用前，各大晶圆厂光刻晶圆的方法是采用DUV（深紫外线）。但这项技术在缩进制程到DUV25nm时，就停滞不前了。
不过，实力强大的英特尔凭借双工作台模式（自校准双重图形），又利用DUV技术把制程往前推到了10nm ，但这已到达极致。
这个时候，业内普遍认为只有EUV技术，能够满足10nm以下的晶圆制造，甚至可以向5nm、3nm冲刺。
但是EUV需要极为精准的光源，整个光刻过程实现难度极高。在2019年之前，仍无一家晶圆厂完全掌握这项关键技术。
然而，就是在10nm这个关键制程节点上，一直跑在最前面的英特尔，却选择了与台积电以及三星截然不同的技术路线——
为了绕过EUV ，他们采用了最新工艺——自校准四重图形(SAQP)技术。此外，他们也在互连层启用了一种叫做“钴”的材料做导线，替代了“铜”这种成熟材料。2017年，他们在IEEE国际电子组件会议(IEDM)高调展示了这些技术，以彰显自己是多么与众不同。
而3年过去，结果说明了一切。
【Intel|英特尔退位，台积电称王】截止目前，只有在2019年取得EUV技术重大突破的台积电，具备了数据还不错的10nm以下芯片产量和功率特性。而另一家使用EUV技术的三星一直被传产量存在问题。
“14nm用自校准双重图形时，一开始的产量很差，所以才造成了两个季度的延迟。但后来所有问题都慢慢解决了，所以问题才不严重。” 一位行业人士透露， 14nm的延迟自然影响到了10nm ，但制程技术问题一直是最大的隐患。
而那时，恰逢英特尔拼了老命都要挤入移动市场，啥都想做。所以，工程师们那时接到的“命令”是，要做出可以适配移动设备、电脑以及服务器的一系列产品，而且一定要比竞争对手好。

“为了达到管理层设定的目标，制造团队就必须更有创造性。为了实现目标，他们采用了一堆‘前无古人后无来者’的新生产技术。除了SAQP和钴，还用钌做衬垫，用钨做触点……
然而这些尝试几乎都没有成功。就拿材料来说，相比铜，钴的延展性和导热性很差，而且极其脆弱，导致晶圆上的电压极其不稳定，进一步降低了性能和功耗。”

一堆新技术的混合调制，成了将10nm工艺推入深渊的炸弹级操作。
有工程师透露， 2018年英特尔10nm芯片刚量产时，实际良率低于1% ，功耗甚至高于22nm 。

“从决定半导体行业发展的本质来看， EUV决定了英特尔与台积电之间的成败。”

2018年12月，英特尔终于对外改口，只要EUV技术成熟且成本大幅降低，他们就会使用EUV技术生产7nm芯片。但这个模糊的说法遭到了当时分析机构的质疑，因为他们彻底错过了2016~2018年台积电、三星等企业大力研发EUV技术的黄金时期。
“三星如果产量都有问题，那英特尔可能会更慢一些，它缺少台积电和三星的经验。” 一位半导体从业者认为，英特尔也许会赶上，但绝对不轻松。