Intel|英特尔退位，台积电称王( 三 ) 英特尔退位，台积

在半导体行业，企业最好的衡量标准只有一个，那就是“竞争” 。
现在来看，英特尔就像是一直在试图制造出最好的枪，向月亮射击；但台积电，却趁此登上了月球。
工艺落后4年？
2019年初，临危受命接任英特尔CEO的斯旺，曾试图在同年Q3电话会议上“挽回人心” ，承诺英特尔将不再“挤牙膏” ，已开始大批量生产10nm处理器，甚至准备再开一家工厂。
“我们从10nm失败的工艺找到了问题，已经从根本上改进了制造技术。推出产品的节奏将会重新回到摩尔定律的轨道上来看，每2~2.5年引入新的制程，重新夺回Top1的地位。”
从下面这张去年10月英特尔发布的制程节点进度图来看，非常明显，他们停留在14nm节点上的时间足足有5年。
虽然这个“+”号的叠加意味着14nm产品在不断迭代，产品品质也最终获得了市场验证。但也有工程师向虎嗅指出，这是行业里惯用的做法，相当于“一种制造工艺设计工具包的升级” ，没有太大意义。
正是由于14nm的延迟在前，下一代10nm芯片也从2015年开始多次宣布延迟。

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图片来自英特尔
这不仅意味着英特尔在那时候就已经有些“脱轨”摩尔定律，也给AMD留出了充足的逆袭时间。让这家在当时濒临破产的芯片设计公司，成长为当下英特尔在PC等多个市场最为忌惮的竞争对手。
但是，有分析师仅仅通过数字之间的差距（两个制程节点），就认为“刚量产10nm的英特尔与大规模量产5nm芯片的台积电中间的差距有4年” ，那么就是大错特错了。
虽然行业默认半导体制造工艺制程越小越好，但不意味着每一家晶圆代工厂的工艺标准是相同的。而业内熟知，英特尔对制造工艺的标准制定一直相对激进，要求也更高。
甚至有工程师嘲笑外界的无知：“英特尔10nm工艺的晶体管密度是台积电10nm工艺的两倍，已经不是一个秘密。”
对于制造工艺来说，晶体管大小在某种程度上不是唯一的决定因素，它们之间的互连也不能忽略。相比其他晶圆厂，英特尔芯片上的互连间距更小，密度更高。
参与研发过TPU ，对制造工艺非常熟悉的芯英科技创始人杨龚轶凡提醒我们， “7nm”这个数字并不完全与晶体管的尺寸有关。

“英特尔的10nm芯片对标的其实是台积电的7nm ，甚至比后者的7nm都好。”

也正是这个原因，被很多终端用户戏称为“英特尔祖传工艺”的14nm ，依然在性能的某些方面可以完胜AMD的部分7nm产品。
譬如，在2018年一个项目中， AMD的7nm服务器芯片EPYC被曝不敌英特尔14nm的Cascade Lake处理器。如今，英特尔仍然靠14nm产品牢牢占据服务器市场大部分份额，这充分证明了这家老牌巨头强大的工程实力。

“同样的制程，英特尔产品的性能一直都更好，所以10nm在2019年底量产了，晚点就晚点吧。但这次再度延迟的7nm芯片，才是英特尔真正意义上的‘落后’ 。” 他告诉虎嗅。

因为台积电的5nm芯片已经开始大规模量产了。
“个人认为英特尔的制造工艺大约落后台积电6~12个月左右。” 一位芯片工程师认为，虽然半导体制造市场也一直存在“严重的市场营销和宣传错误” ，但这次，比起台积电和三星的习惯性吹嘘，英特尔的10nm芯片的确迟了。
2018年，英特尔工程师曾对外解释过，他们对10nm的晶体管密度和制造材料要求太高，以至于超过了对节点本身的追求，才选择延迟发布。