中年三星电子宣布量产10纳米级LPDDR5 DRAM芯片
来源 ：钜亨网
随着全球芯片制程技术持续进化 ， 南韩科技巨头三星电子 (Samsung Electronics) 宣布 ， 已经开始量产使用极紫外光 (EUV) 光刻技术制造的第三代 10 纳米级 LPDDR5 DRAM 芯片 ， 领先于业界 ， 未来 DRAM 制程也将有望朝向个位数奈米制程前进 。
三星电子宣布 ， 该公司位于南韩平泽市的第二条半导体生产线 ， 已经开始量产领先于全球的第三代 10 纳米级 LPDDR5 DRAM 芯片 ， 达到业界内最大的容量和最快的速度 。
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三星电子最新的 10 纳米级 LPDDR5 DRAM 芯片 ， 传输运行速度高达 6400Mb/s ， 较目前市场上旗舰版智能型手机的 12 GB LPDDR5 DRAM 芯片快上 16% 。 该公司也指出 ， 配备 16 GB 存储器的智能型手机将可以每秒传送 51.2 GB 的数据 ， 相当于 10 部高画质电影 。
此外 ， 最新的10纳米级 LPDDR5 DRAM 芯片也比先前的产品薄 30% ， 将有助于为配备多项零组件的产品 ， 如高阶相机手机或 5G 手机 ， 以及有厚度考量的产品 ， 如可折叠式手机 ， 提供最佳解决方案 。
报导指出 ， 在今年 2 月份 ， 三星电子便已经开始使用第二代 10 纳米级工艺制程技术量产 16GB LPDDR5 DRAM 。 在短短六个月内 ， 该公司更进一步加强了高阶行动 DRAM 产品组合 ， 包括导入新一代芯片制程技术 。
在 DRAM 领域中 ， 南韩 SK 海力士排名全球第二 ， 市占率仅次于三星电子 。 如今 ， SK 海力士也正积极研发将 EUV 技术应用于第四代 10 纳米级产品 ， 并计划于 2021 年实现量产 ， 与三星电子相比 ， SK 海力士大约落后了六个月到一年的时间 。
【来源：CINNO】
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【中年三星电子宣布量产10纳米级LPDDR5 DRAM芯片】
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