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|豪威集团提供“一站式”TWS耳机解决方案( 三 )


在充电仓侧 ， 韦尔半导体提供各种封装的 TVS ， 满足充电仓侧重点防护位置 VBUS 的不同的浪涌需求 。例如采用 DFN2020 封装的 ESD56161D24 ， 具有较低钳位电压（Vcl）和很高的脉冲峰值电流（IPP） 。目前业内对浪涌主流要求为 ±100V ， 同时要求满足 DC16V 以上的直流耐压 。ESD56161D24 则能够满足高达 ±300V 的更为严苛的要求 。
另有采用小尺寸 0201 封装的 ESD54191CZ 可应用于 VBAT 及 POGO PIN ， 可兼顾浪涌和 ESD 综合防护性能 。
在耳机侧 ， 重点防护的位置是 VBAT、GPIO、POGO PIN ， 硅麦和 DC 电源 。与充电仓的标准一样 ， 主流品牌的 ESD 需要满足接触放电 4KV ， 空气放电 10KV 的要求 。部分品牌要求满足接触 6KV ， 空气 15KV 的高等级静电防护要求 。这对于超小尺寸的耳机设计提出了很大的挑战 。
韦尔半导体推出的 TVS 产品 ESD73111CZ 和 ESD73131CZ ， 采用 0201 小尺寸封装 ， 具超低钳位电压（低至 5.5V 和 6V） ， 配合结构、电容、磁珠及 layout 的处理 ， 可以迎接各种静电挑战 。
MOSFET 产品
韦尔半导体拥有多元化 MOSFET 配置 ， 提供单 N、单 P、双 N 型 / 双 P 型、共 Drain 等组合型式 。具备封装小、高速开关、低开启门限电压、大电流和高可靠性等特点 ， 能够充分满足 TWS 耳机灵活多样的架构要求 ， 减小元件空间占用 ， 有效利用 PCB 面积 。小体积的高速信号开关 N 沟道 WNM2046E ， 具有封装小、高可靠性等特点 ， 可用于耳机系统的开关控制、通讯电路等 。高速信号开关 P 沟道 WNM2092C ， 可用于耳机系统的负载控制和保护 。锂电池保护 MWNMD2171 作为保护电路的关键器件 ， 其经历了严苛的测试验证和市场检验 。DFN2*2-6L 双 P 沟道 WNMD2084 封装紧凑、大电流、易操作 ， 帮助客户从容应对挑战 。
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模拟开关
主流 TWS 耳机及充电仓多采取双触点接触方式 ， 充电仓为耳机充电以及与耳机实现通讯借助的是同一个触点 ， 需要功能切换 。韦尔半导体推出的采用低 Ron 的双路单刀双掷开关 WAS4729QB ， 采用 QFN1418-10L 封装 ， 尺寸仅为 1.4mm x 1.8mm ， 占板面积小 。其同时还具备逻辑控制简单 ， 电路稳定可靠等优点 。
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随着 TWS 耳机的 SoC 方案不断推陈出新 ， 性能不断进步 ， TWS 耳机成为未来便携音频设备的主流已经是必然的趋势 。
【|豪威集团提供“一站式”TWS耳机解决方案】豪威集团以强大的技术储备和研发能力以及完备的产品线为 TWS 耳机提供一站式解决方案 ， 满足 TWS 耳机产品高集成度、超低功耗的要求 ， 推动新一代 TWS 耳机在通讯、音质、续航等方面的用户体验不断提升 。


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