太阳能硅片的清洗以及原理( 二 )
(1)由于硅片处于真空状态，减少了空气中灰尘的污染；
(2)可能吸附在硅片表面的一些气体和溶剂分子的挥发性增加，在真空和高温下很容易去除；
(3)一些可能被硅片污染的固体杂质在真空和高温条件下容易分解和去除 。
硅片预清洗时，表面污垢主要来自切片带来的一些切削液、研钵、碳化硅、弹匣金属氧化物，很难去除，因为只有一层薄薄的钠、铜等金属，即使里面只有千分之几的金属杂质，也会在硅片表面造成缺陷，导致转换时无法循环，直接影响光电转换效率 。预漂洗后，脱胶后的硅片在预漂洗阶段主要采用手动或自动的方法进行清洗，主要去除可去除的粘附颗粒和有机污垢 。压力对硅片表面有一定要求 。如果压力太高，晶片容易破裂，但是如果压力太小，它就不能深入压制的硅晶片 。如果出现这样的情况，压片过小，对后期的清洗影响很大 。
文章插图
此时，插片后面的硅片基本上不是很脏，残留的污垢主要在于硅片中心附近的一些固体颗粒残留，用物理方法或高压水冲洗很难去除 。有时它们分布在周围或当地 。有时硅片的正面和背面可能有不同的性能 。我们有一个非常重要的要求 。从硅片切片到清洗的整个过程有时长达一两个小时 。在整个过程中，要求晶片必须浸泡在水溶液中 。有些企业用极低溶解度的酸浸泡硅片 。如果硅片暴露在空气中，它会很快与空气表面发生反应，产生氧化层，氧化层吸附在氧化层上，对后续的清洗影响很大，所以对浸泡的要求很高 。清洗过程中必须使用高纯去离子水，甚至一点点其他杂质离子都会造成表面缺陷，主要影响光电转换效率 。
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