国产|打破外企垄断核心器件：首款国产氮化镓快充主控芯片问世( 二 )
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得益于内置了氮化镓控制器和驱动器，所以美思迪赛MX6535相比市面上常见的安森美氮化镓控制器而言，集成度更高，也更适合利于小型化电源的设计和开发。
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该方案搭载的GaN功率器件来自国产氮化镓供应商–英诺赛科，型号INN650D02，耐压650V，导阻低至0.2Ω，符合JEDEC标准的工业应用要求。INN650D02 “InnoGaN”开关管高频特性好，且导通电阻小，适合高频高效的开关电源应用，采用DFN8*8封装，具备超低热阻，散热性能好，适合高功率密度的开关电源应用。
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据充电头网了解，INN650D02 “InnoGaN”开关管基于业界领先的8英寸生产加工工艺，是目前市面上最先量产的先进制程氮化镓功率器件，这项技术的大规模商用将推动氮化镓快充的快速普及。
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次级侧采用一颗同样出自于美思迪赛半导体的另一颗超高集成度的SOC芯片，型号为MX5420。这颗芯片的最大特点是其在一个引脚极少的SOP-10的封装内同时放进去了快充协议识别控制和同步整流控制器。协议方面除支持USB PD3.0规范外，还兼容QC3.0、华为FCP、三星AFC,展讯SFCP以及BC1.2、Apple 2.4A等快充协议；并内置了手机移除后快速放电电路。
这是目前为止我们看到的业界引脚最少的同时集成同步整流控制器和PD3.0等丰富快充协议控制器的SOC芯片，而且从相关的兼容性测试结果来看，这颗芯片有着非常优异的快充协议兼容性，这也可以从侧面反映出美思迪赛半导体强悍电路整合及研发实力。
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MX5420搭载了美思迪赛半导体专有的Smart-Feedback技术，采用数字算法把传统初次级电压及电流RC环路补偿网络直接省去。同时因为Smart-Feedback加持，没有传统反馈环路系统不稳定的问题，工程师在采用MIX-DESiGN美思迪赛MX5420设计时不需要要考虑难调的环路增益和反馈裕度，因此得益于该公司Smart-Feedback的技术，除了电路能更加简洁，同时更大大节省工程师的开发时间和成本。
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将美思迪赛65W氮化镓快充方案装入外壳进行简单的上电测试，ChargerLAB POWER-Z KT002检测到该方案支持Apple2.4A、Samsung5V/2A、QC3.0、QC2.0、DCP、AFC、FCP等多动协议。
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PDO报文显示，该方案支持USB PD3.0 PPS协议，其中固定电压输出档位为5V/3A、9V/3A、12V/3A、15V/3A、20V/3.25A；PPS电压档位为3.3-21V/3A。
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使用这套方案ANKER 60W移动电源充电，显示电压20.39V，电流2.9A，充电功率约为59.3W，移动电源接近全速充电。
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给iPhone 11 Pro Max充电，显示电压9.28V，电流2.08A，充电功率约为19.4W，正常进入USB PD快充。
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给三星S20 Ultra充电，显示电压9.29V，电流1.51A，充电功率约为14.1W，正常进入USB PD快充。
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给小米10 Pro充电，显示电压5.21V，电流2.79A，充电功率约为14.6W，正常进入USB PD快充5V充电模式。
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给华为P30 Pro充电，显示电压9.27V，电流1.26A，充电功率约为11.7W，正常进入USB PD快充模式。
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给魅族17 Pro充电，显示电压9.28V，电流2.03A，充电功率约为18.9W，正常进入USB PD快充模式。
充电头网总结
美思迪赛半导体已经在传统AC-DC电源市场耕耘了多年，在台北、上海、苏州均设有研发部门，近年来在数模混合设计积累了丰富经验，也是业内为数不多的有能力在电源初、次级IC同时做设计优化的半导体公司。据了解，美思迪赛半导体在传统的AC-DC非快充市场已取得不错占率和口碑，并已成为了多个知名手机品牌标配快充电源的的主力芯片供应商。
美思迪赛MX6535的发布，使其成为了国内首家掌握氮化镓控制及驱动技术的公司，并在全球范围内成为继TI和安森美之后的第三家推出氮化镓驱动的公司。打破了外企长期以来对氮化镓控制和驱动器的垄断地位，大大加速了氮化镓快充技术的本土化进程。
从搭载美思迪赛MX6535的氮化镓快充方案来看，虽然具备最大65W的输出能力，但整体方案的体积非常小巧。这一方面得益于MX6535内置了氮化镓驱动，并消除了传统的二次反馈电路；另一方面也得益于搭配了自家的次级芯片MX5420，内置同步整流控制器和协议识别，并通过数字算法把传统初次级电压及电流RC环路补偿网络直接省去，而且亮点是MX5420完成所有快充复杂的功能的同时竟然然只有区区10个PIN脚。
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