Intel|改个名字反超台积电？Intel 2024年搞定2nm
2021年7月27日，IntelCEO帕特·基辛格在“Intel加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会”上发表演讲 。
在这次线上发布会中，Intel首次公布了未来数年的制程工艺和封装技术路线图，并对Intel的工艺节点进行了重新命名，同时发布了全新的晶体管架构RibbonFET 和背面电能传输网络PowerVia，以及全新的Foveros Omni和Foveros Direct封装技术 。
此外，在晶圆代工业务方面，Intel也获得了突破 。在今天的线上会议上，Intel宣布已经与高通达成了20A工艺节点上的合作，同时在先进封装上也与亚马逊AWS达成了合作 。
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一、Intel启用全新工艺节点命名，2024年量产20A制程
众所周知，在半导体制程工艺节点的命名上，通常是按照晶体管栅极长度来命名，数字越小越好 。
但是在多年前，不少厂商为了取得市场营销上的优势，就已经脱离了严格按照晶体管栅极长度来命名制程工艺节点的方式，所以目前即使在同样的节点的命名下，各家在实际性能上也有着非常大的差异 。
目前，单纯从节点命名上来看，台积电和三星今年将量产第二代的5nm工艺，相对于Intel来说，处于领先的地位，但是从具体的性能来看，台积电的5nm性能是领先于三星的，而Intel公布的数据则显示，其即将推出的7nm工艺性能则与台积电5nm相当 。
此前Intel在推出10nm工艺之时，曾极力推动以晶体管密度来衡量制程工艺性能，但收效不佳 。
或许是为了规避目前混乱的制程工艺节点命名方式给Intel带来的不利的竞争影响，此次Intel公布未来制程工艺路线图时，也对其工艺节点的命名方式进行了重构 。
Intel引入了基于关键技术参数——包括性能、功耗和面积等的新命名体系 。从上一个节点到下一个节点命名的数字递减，反映了对这些关键参数改进的整体评估 。
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以下是Intel制程技术路线图、实现每个节点的创新技术以及新节点命名的详细信息：
● Intel 7
Intel 10纳米SuperFin的命名保持不变，但是新一代的“10纳米Enhanced SuperFin”的制程节点将重新名为“Intel 7” 。
据介绍，通过FinFET晶体管优化，“Intel 7”的每瓦性能将比Intel10纳米SuperFin提升约10%～15%，优化方面包括更高应变性能、更低电阻的材料、新型高密度蚀刻技术、流线型结构，以及更高的金属堆栈实现布线优化 。
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Intel于2021年推出的面向客户端的Alder Lake将会率先采用“Intel 7”工艺，后续预计将于2022年第一季度投产的面向数据中心的Sapphire Rapids也将会采用“Intel 7”工艺 。
● Intel 4
此前被称之为Intel 7纳米工艺的节点将被重新命名为“Intel 4” 。
据Intel介绍，与Intel 7相比，Intel 4的每瓦性能提高了约20%，同时它也将是首个完全采用EUV光刻技术的IntelFinFET节点 。此前台积电的7nm EUV工艺也只是极少部分环节采用了EUV工艺 。
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具体的量产时间上，Intel表示，Intel 4将于2022年下半年投产，2023年出货，产品包括面向客户端的Meteor Lake和面向数据中心的Granite Rapids 。
● Intel 3
Intel 3 将继续获益于FinFET，相比前代的Intel 4，Intel 3将在每瓦性能上实现约18%的提升 。这是一个比通常的标准全节点改进水平更高的晶体管性能提升 。
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Intel称，Intel 3实现了更高密度、更高性能的库；提高了内在驱动电流；通过减少通孔电阻，优化了互连金属堆栈；与Intel 4相比，Intel 3在更多工序中增加了更多的EUV的使用 。
Intel 3将于2023年下半年开始生产相关产品 。
虽然Intel并未公布Intel 3所对应的Intel自身此前制程节点，或者其他友商的制程节点，但是从Intel的介绍来看，Intel 3应该相当于Intel原来的5nm，而在具体每瓦功耗性能上可能相当于台积电的3nm工艺 。这也是为何英特将其以Intel 3 命名的原因 。
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